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半導體制程(支撐)材料

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三氟化硼—10

更新時間:2021-12-16 點擊數(shù):1616

10B同位素具有對中子高吸收的獨特特性,對熱中子的吸收截面為3837靶,是高效的熱中子吸收劑,是自然豐度硼的5倍,石墨的20倍;除了吸收截面大,與其它常見的中子吸收材料Gd和Cd等相比,10B或者富集10B及其化合物被廣泛應(yīng)用于輻射防護、中子探測、軍事裝備及放射性治療等領(lǐng)域。如富集10BF3可作為制造BF3正比計數(shù)管的原料用于中子探測領(lǐng)域;在核工業(yè)中也可作為生產(chǎn)硼-10酸、碳化硼-10、硼-10粉、硼-10化鋯的原料,用作中子吸收劑材料;也可用于生產(chǎn)硼-10不銹鋼,用作輻射屏蔽材料,在輻射防護領(lǐng)域發(fā)揮作用。


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